Valor de la intensitat I_E (en mA).

Considerem un transistor ideal, pel qual el corrent de col·lector depén bàsicament del voltatge de polarització de la junció emissor- base.

Si treballant amb V_EB=0,52 V circula un corrent de col·lector de I_C=2,1 mA, quin ha de ser el nou valor de voltatge V_EB per tal que el corrent de col·lector sigui de 1,9 mA?

El següent gràfic presenta el guany d'un transistor en configuració d'emissor comú, en funció del dopatge d'emissor. Quin és el dopatge de la base si treballem a 280 K, amb un dopatge d'emissor de N_E=10¹⁸cm^-3? (expresseu la resposta amb notació científica i amb unitats de cm^-3)

El gràfic de la figura presenta els termes de corrent més importants en un transistor bipolar P⁺NP.

Relaciona'ls adequadament amb les descripcions de la columna de la dreta.

Quina és la diferència de potencial (expressada en V) entre l'emissor i el col·lector d'un transistor N⁺PN de Si a temperatura ambient en equilibri, si els dopatges d'emissor, base i col·lector són respectivament N_E=98·10¹⁷ cm^-3 i N_B=13·10¹⁵ cm^-3 i N_C=6·10¹⁴ cm^-3?

DADES

El primer gràfic de la figura anterior presenta la concentració real de portadors majoritaris en un transistor NPN, considerant els mètodes reals de dopatge del semiconductor, i que resulten una mica diferents dels dopatges uniformes ideals.